台积电 2nm N2 技术细节曝光 效能、功耗巨大飞跃
台积电的 2nm 制程技术无疑是市场上最受瞩目的发展之一。根据台积电在 IEEE 国际电子元件会议(IEDM)中所发布的最新资讯,2nm「nanosheet」技术成为此次简报的焦点。这项新制程预计将在 2025 年下半年进入大规模量产,并将在效能和效率上带来巨大飞跃。
效能提升 15% 功耗降低 30%
FinFET 到 nanosheet 技术的转变
价格提升
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台积电的 2nm 制程技术无疑是市场上最受瞩目的发展之一。根据台积电在 IEEE 国际电子元件会议(IEDM)中所发布的最新资讯,2nm「nanosheet」技术成为此次简报的焦点。这项新制程预计将在 2025 年下半年进入大规模量产,并将在效能和效率上带来巨大飞跃。
效能提升 15% 功耗降低 30%
台积电强调,2nm 制程的效能提升达到 15%,同时功耗降低了 30%,节能表现显著提升。
此外,晶体管密度也提升了 1.15 倍,这归功于全环绕闸极(GAA)nanosheet 晶体管以及 N2 NanoFlex 技术,使制造商能够在最小面积内整合不同的逻辑单元,进一步优化制程效能。
FinFET 到 nanosheet 技术的转变
由传统的 FinFET 技术转向 2nm「nanosheet」,台积电成功提升电流控制的精确度。
这种技术采用堆叠的窄矽带,每个矽带皆被闸极环绕,实现了比 FinFET 更精确的电流控制,让制造商根据不同的应用场景进行微调。
价格提升
2nm 制程的优势使其成为 Apple 和 NVIDIA 等产业巨头的首选。然而,随着技术升级,N2 制程的晶圆价格也将水涨船高,预计较 3nm 制程上涨超过 10%。2nm 晶圆的单价可能在 25,000 至 30,000 美元之间,而 3nm 晶圆的价格约为 20,000 美元。
此外,考虑到初期的良率与试产阶段,2nm 制程在早期的采用速度可能会较为缓慢。
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